SiC模組相較於矽基IGBT具備導通電阻較小、損耗較小等優勢，其特性較耐高溫、高壓，近年隨著特斯拉率先於Model 3將SiC模組導入逆變器，開始帶動其他車廠跟進。
相較於IGBT模組當中晶片成本佔約60%，SiC模組當中晶片成本佔逾8成多，是成本主要來源。而SiC晶片製造門檻非常高，需要在特殊溫場下，採用物理氣相傳輸法(physical vapor transport) 生長不同尺寸的SiC Ingot，經過多道工序產出SiC基板。其中，關鍵環節是晶體生長(長晶)，也就是長出高品質晶錠。
全球握有穩定長晶技術的包括Wolfspeed、Rohm、II-VI等少數廠商，由於長晶過程較為耗時，且來源有限之下，SiC基板產出量非常稀少，目前市場仍處於供不應求，因此具備SiC晶片長晶技術就等於握有市場話語權以及價格競爭優勢。
鴻海在2021收購旺宏(2337)的6吋晶圓廠，取得SiC晶圓製造的產能，並將該廠轉入鴻海旗下鴻揚半導體中運作；不過上游關鍵基板拼圖，是後續再透過參與太極(4934)旗下盛新材料募資案、取得10%股權之後才完成。
盛新材料的技術團隊，已經在碳化矽長晶有十幾年經驗，據瞭解，盛新材料一開始是透過引進國外turnkey技術，以及後來公司再加入於碳化矽領域多年的團隊，才慢慢發展起來。
知情人士指出，相較於台廠同業在長晶環節暫時還無法有效突破，盛新材料目前已有能力穩定長出6吋晶錠。
產業人士指出，要能自主長出高品質晶錠，關鍵在於長晶爐要有自己的熱場設計，而熱場設計得來不易，因為長晶成功與否，過程偏向經驗法則，需要大量錯誤經驗累積、試錯，才能慢慢摸索出方向，這個過程非常花時間。
產業人士指出，碳化矽長晶速度比矽半導體更久，長晶過程中，一個參數加進去，無法馬上看到結果，即使看到結果，也只能猜可能是這個參數帶來的改變，很多變因都無法確定。
盛新材料目前已經完成6吋產品量產準備，已可應付市面上主流規格，目前國際大廠如Wolfspeed開始走入8吋，盛新材料目前也已展開8吋產品開發，目標2025年第2季量產。
鴻海若能在SiC長晶環節打通氣結，後續的晶圓製造、功率模組、電動車馬達逆變器，再到電動車動力總成平台的各個環節就會暢通。根據鴻揚半導體的產品規劃，自行開發的1200V SiC Mosfet Wafer，目前在客戶送樣階段，目標明年7月量產。
整體而言，鴻海在SiC功率模組的布局，已經在最困難的長晶取得階段性的成果，有利於讓潛在電動車客戶看到鴻海在關鍵零組件的掌握度，後續鴻海SiC模組導入量產進度成為觀察重點，也成為鴻海未來能否讓電動車成為公司下一個兆元產業的關鍵所在。
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※本文授權自MoneyDJ理財網，原文見此。
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